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1光伏廢水的主要污染因子:氟離子、COD以及pH值。
廢水中的氟離子主要來自于生產(chǎn)工序中使用的氫氟酸;廢水中的有機(jī)污染成份主要來自于制絨槽使用的異丙醇、丙酮(排放頻率極少);酸堿pH值污染因子主要是生產(chǎn)中使用的氫氟酸、鹽酸、硝酸以及氫氧化鈉等。
2光伏廢水水質(zhì)特點(diǎn):
廢水污染物濃度變化極大;
廢水排放流量分時(shí)段性;
廢水的酸堿性極強(qiáng),廢水對(duì)設(shè)備的腐蝕性大;
廢水中硅酸鈉的含量較大,加之醇對(duì)細(xì)菌的抑制作用,所以廢水的可生化性很差;
濃異丙醇化學(xué)預(yù)處理技術(shù)
制絨槽排出的異丙醇產(chǎn)生的COD大約為30000-50000mg/L,這部分高濃度廢水必須經(jīng)過化學(xué)預(yù)處理,否則采用生化工藝去除有機(jī)污染物難以取得成功。
3 光伏企業(yè)廢水來源:
3.1多晶硅廢水:是三氯硅烷還原生成多晶硅過程中產(chǎn)生的尾氣經(jīng)水淋洗產(chǎn)生的.主要反應(yīng)為:SiHCl3+H2---Si+HCl (產(chǎn)品反應(yīng))SiHCl3+H2O---SiO2+HCl (尾氣淋洗)廢水中主要物質(zhì)為:SiO2.HCl硅醇及脫水成聚硅氧烷和硅酸,偏硅酸等.廢呈強(qiáng)酸性, SiO2的粒徑極小,大部分聚成團(tuán)漂浮的水面.
3.2 切磨拋廢水來自三個(gè)工序:
(1)切片工序主要為:粘石臘,冷卻水等, 廢水中主要物質(zhì)為: 石臘,硅粉.
(2)磨片工序的磨液成分為:洗液和肥皂制成浮液. 廢水中主要物質(zhì)為:表面活性劑.硅粉.
(3)拋光工序的拋光液的成分:環(huán)烷烴, 廢水中主要物質(zhì)為:硅粉和烴類有機(jī)物.三種廢水混合中灰色有乳狀體
3.3. 有機(jī)硅廢水 由氯丙烷在鉑酸作催化劑的條件下,與三氯硅烷加成反應(yīng)生成氯丙基三氯硅烷然后經(jīng)粗精餾后產(chǎn)生的殘液和氯丙烯瓶中的殘液,用水沖洗產(chǎn)生的, 廢水中主要物質(zhì)為: 三氯硅烷, 氯丙烷和HCl.氯丙烷和HCl的來源是氯丙烯水解產(chǎn)生的,故廢水呈酸性,反應(yīng)式為:CH2=CH-CH-CH2Cl+H2O----CH2=CH-CH2-OH=H2O三部分廢水混合后,廢水呈酸性,灰的色乳狀有降低(強(qiáng)酸有一定的破乳性),但有膠體存在,主要是硅酸,偏硅酸和硅醇分子間脫水聚縮而成聚硅氧烷引起的
4. 硅片清洗廢水
清洗(酸洗法)廢水由以下幾部分清洗過程產(chǎn)生:
1.SPM(H2SO4、H2O2、H2O)的混合液清洗 用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液,SPM溶液具有很強(qiáng)的氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液,并將有機(jī)污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有機(jī)污物和部分金屬。此工序會(huì)產(chǎn)生硫酸霧和廢硫酸。
2.DHF清洗 用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜,而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中,同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產(chǎn)生氟化氫和廢氫氟酸。
3.APM清洗 APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成,硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(約6nm呈親水性),該氧化膜又被NH4OH腐蝕,腐蝕后立即又發(fā)生氧化,氧化和腐蝕反復(fù)進(jìn)行,因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。此處產(chǎn)生氨氣和廢氨水。
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